فلومتر مغناطیسی Electromagnetic Flow Measurement :
فلومترهای الکترومغناطیسی به کمک اندازه گیری تغییرات شارمغناطیسی در اثر سرعت سیال جاری می توانند مقدار فلو را با دقت قابل قبولی اندازه گیری کنند. درحقیقت با ایجاد شار مغناطیسی در سیال عبوری از فلومتر و اندازه گیری آن می توان به یک فلومترالکترومغناطیسی دست پیدا کرد.
ساختمان فلومترمغناطیسی Electromagnetic Flow Measurement :
قسمت الکترونیک یا پروسسور
سیم پیچ ها ایجاد میدانی
الکترودها
بدنه فلومتر
فلومترهای الکترومغناطیسی معمولاً در دمای حداکثر0° درجه کار می کنند و با توجه به لایتر داخل فلومتر در کاربردهای مختلف لایتراز جنس تفلون یا هارد رابرو … ساخته می گردد.
فلومتر الکترومغناطیسی بر اساس قانون القای فارادی براساس اگر جسم هادی درون یک میدان مغناطیسی حرکت کند ولتاژ در دو سرهائی القا می شود این ولتاژالقایی متناسب با سرعت هادی خواهد بود.
کاربرد این روش را محدود به سیالات رسانا می کند.
درچند دهه ی گذشته پس ابداع تکنولوژی ساخت فلومترهای الکترومغناطیسی، تکنولوژی های دیگرمانند فلومترهای اولتراسونیک ultra sonic flow meters ، فلومترهای توربینی Turbine flow – meters و غیر ابداع گردید.
ولی هیچ یک از این تکنولوژی ها، تا کنون نتوانسته اند با دقت قابل اعتماد بودن مقادیر قرائت شده فلومترهای الکترومغناطیسی برابرنمایند. واضح است ازآنجا که سرعت در نقاط مختلف سطح مقطع لوله، متفاوت می باشد (پروفیل سیال)، سرعت واقعی در هر سطح مقطع، میانگین سرعت کلیه نقاط آن می باشد. علت دقت بالای کنتورهای مغناطیسی آن است که دبی لحظه ای اندازه گیری شده، میانگین دبی لحظه ای میلیون ها نقطه داخل استوانه کنتوراست که دائماً درحال اندازه گیری می باشند.
بعنوان نمونه در فلومترهای اولتراسونیک با دو سنسور، دبی اندازه گیری شده همواره میانگین دبی نقاط مختلف در روی مسیرحرکت سیگنال بین دو سنسوراست نه نقاط داخل کل حجم لوله در نتیجه بهترین دقت فلومترهای اولتراسونیک با دو سنسور ± تا 3± درصد حداکثرمقدارقابل قرائت فول اسکیل (FS: Full Scale) می باشد. درحالی که دقت فلومترهای الکترومغناطیسی بهتراز 0.5± تا 0.± درصد می باشد.
اصول اندازه گیری در فلومترهای الکترومغناطیسی:
برطبق قانون فارادی می باشد. قاعدتاً هرجسم هادی که یک میدان مغناطیسی را قطع نماید، در داخل آن جسم ولتاژ القا خواهد شد که متناسب خواهد بود با شدت میدان مغناطیسی ، زاویه ی برخورد جسم هادی با میدان مغناطیسی و بالاخره سرعت عبور آن جسم از درون میدان حال با توجه به ثابت بودن شدت میدان و زاویه برخورد در عمل ولتاژ القا شده در داخل ماده هادی متناسب با سرعت حرکت سیال خواهد بود.
u=k * B * D * V
u:ولتاژ القا شده متحرک
K : مقدار ثابت ضریب
B: شدت میدان مغناطیسی
V: سرعت حرکت متحرک درون میدان مغناطیسی
V=u/(k *B*D)
بعنوان نمونه در فلومترهای اولتراسونیک با دو سنسور، دبی اندازه گیری شده همواره میانگین دبی نقاط مختلف در روی مسیرحرکت سیگنال بین دو سنسوراست نه نقاط داخل کل حجم لوله در نتیجه بهترین دقت فلومترهای اولتراسونیک با دو سنسور ± تا 3± درصد حداکثرمقدارقابل قرائت فول اسکیل (FS: Full Scale) می باشد. درحالی که دقت فلومترهای الکترومغناطیسی بهتراز 0.5± تا 0.± درصد می باشد.
اصول اندازه گیری در فلومترهای الکترومغناطیسی:
برطبق قانون فارادی می باشد. قاعدتاً هرجسم هادی که یک میدان مغناطیسی را قطع نماید، در داخل آن جسم ولتاژ القا خواهد شد که متناسب خواهد بود با شدت میدان مغناطیسی ، زاویه ی برخورد جسم هادی با میدان مغناطیسی و بالاخره سرعت عبور آن جسم از درون میدان حال با توجه به ثابت بودن شدت میدان و زاویه برخورد در عمل ولتاژ القا شده در داخل ماده هادی متناسب با سرعت حرکت سیال خواهد بود.
u=k * B * D * V
u:ولتاژ القا شده متحرک
K : مقدار ثابت ضریب
B: شدت میدان مغناطیسی
V: سرعت حرکت متحرک درون میدان مغناطیسی
V=u/(k *B*D)
Reviews
There are no reviews yet.